Intel ve TSMC, CFET Transistör Teknolojisinde Öncülük Ediyor
Yarı iletken devleri Intel ve TSMC, geleceğin silikon tabanlı cihazları için hayati öneme sahip olan tamamlayıcı FET (CFET) teknolojisi üzerindeki çalışmalarında yeni aşamalara ulaşıyor.
CFET transistör teknolojisi hakkındaki son gelişmelerini yakın bir tarihte duyurmaları bekleniyor. İki yarıiletken devi Intel ve TSMC, CFET (Tamamlayıcı Alan Etkili Transistör) teknolojisi üzerindeki en son gelişmelerini yaklaşan Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı (IEDM) konferansında açıklamaya hazırlanıyor. Bu yenilikçi teknoloji, önümüzdeki on yılda mevcut GAA (Gate-All-Around) teknolojisini geride bırakabilir.
Intel ve TSMC'den CFET İnovasyonu
CFET kavramı, 2018'de yarıiletken endüstrisine tanıtıldı ve transistörlerin birbiri üzerine dikey olarak istiflenmesi anlamına geliyor. Özellikle N ve P tipi transistörlerin bir arada kullanımı, elektrik sinyallerinin kontrolü ve amplifikasyonunda kritik bir rol oynuyor. Hem Intel hem de TSMC, bu alanda sürekli araştırmalar yaparak ilerlemeye devam ediyor.
Intel, PowerVia teknolojisiyle arka tarafta güç dağıtımını kullanan dikey bir CFET yaklaşımı sunarken, bu yapı 60nm kapı aralığında işlevsel invertör devreleriyle destekleniyor. Diğer yandan TSMC, 48nm kapı aralığıyla dikey CFET teknolojisini benimsemiş durumda. Bu yaklaşım, n-tipi nanosheet transistörlerini p-tipi eşdeğerlerinin üstüne istifleyerek üstün performans sunuyor. İlk testlerde TSMC'nin transistörlerinin büyük bir çoğunluğunun başarıyla çalıştığı ve yüksek verimlilik sağladığı görülüyor.
Yeni Nesil Transistör Devrimi: CFET
CFET teknolojisi, transistör tasarımında radikal bir evrim sunarak, dikey istiflemeyi benimseyerek iki transistörün tek bir transistörün alabileceği alana sığmasını sağlıyor. Bu yenilikçi yaklaşım, sadece alandaki verimliliği artırmakla kalmayıp, aynı zamanda modern CMOS mantık devrelerine daha uyumlu bir yapı sağlayarak entegre devre tasarımındaki verimliliği de yükseltiyor.
CFET'lerin bu özgün tasarımı, parazitik dirençleri ve kapasiteleri azaltma potansiyeline sahip olup, bu da hem performansın hem de enerji verimliliğinin artmasına olanak tanıyor. Yenilikçi özelliklerle donatılan bu yapı, arka taraftaki güç dağıtımı gibi özellikleri ile yarıiletken üretim süreçlerini basitleştiriyor, bu da CFET'leri transistör teknolojisinin geleceği için oldukça cazip kılıyor. Intel ve TSMC'nin bu alandaki çalışmaları, CFET'in yarıiletken dünyasındaki potansiyel değerini gözler önüne seriyor.
